




由碳與氟反應,高純四氟化碳供應商,或一氧4化碳與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應,批發(fā)四氟化碳,或四氯4化碳與氟化銀反應,或四氯4化碳與氟化4氫反應,都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。


因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。吸入四氟化碳的后果與濃度有關,四氟化碳生產,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,武漢四氟化碳,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。


四氟化碳的用途與作用 :
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環(huán)境下是相對惰性的,在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環(huán)境中,氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程,使尺寸和形狀得到更好的控制,這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制(如半導體各項異性控制)。


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